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壓力接觸構(gòu)造的功率半導(dǎo)體模塊以及其制造方法 |
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| 壓力接觸構(gòu)造的功率半導(dǎo)體模塊，用于設(shè)置在一個冷卻構(gòu)件上。功率半導(dǎo)體模塊包括：至少有一個基板（１２），所述基板具有印制導(dǎo)線和功率半導(dǎo)體構(gòu)件（２０）；組裝基體（２２），在該組裝基體的下側(cè)（２４）上設(shè)置所述至少一個基板（１２），并且該組裝基體構(gòu)成有凹部（２６），所述凹部設(shè)置用于貫穿與所述至少一個基板（１２）的印制導(dǎo)線（１８）壓力接觸的接觸腳（２８），所述接觸腳從彼此絕緣的帶部段（３０）伸出，利用所述帶部段構(gòu)成負載接頭元件；形狀穩(wěn)定的剛性的蓋板（４８），該蓋板全方位覆蓋組裝基體（２２）并且借助于快速卡槽連接（５８，６０）與組裝基體（２２）相連接；至少一個墊子（４２），所述墊子擠緊在蓋板（４８）和負載接頭元件（３８）的帶部段（３０）之間。 |
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壓力接觸構(gòu)造的功率半導(dǎo)體模塊以及其制造方法
壓力接觸構(gòu)造的功率半導(dǎo)體模塊，用于設(shè)置在一個冷卻構(gòu)件上，包括： 至少有一個基板（１２），所述基板在其背離冷卻構(gòu)件的上側(cè)（１６）上具有印制導(dǎo)線和功率半導(dǎo)體構(gòu)件（２０）； 組裝基體（２２），在該組裝基體的下側(cè)（２４）上定位地設(shè)置所述至少一個基板（１２），并且該組裝基體構(gòu)成有凹部（２６），所述凹部設(shè)置用于貫穿與所述至少一個基板（１２）的印制導(dǎo)線（１８）壓力接觸的接觸腳（２８），所述接觸腳從彼此絕緣的帶部段（３０）伸出，利用所述帶部段構(gòu)成負載接頭元件，所述負載接頭元件定位地設(shè)置在組裝基體（２２）上； 形狀穩(wěn)定的剛性的蓋板（４８），該蓋板定位地全方位覆蓋組裝基體（２２）并且借助于快速卡槽連接（５８，６０）與組裝基體（２２）相連接，并且該蓋板構(gòu)成有緊固孔（５２），用于將功率半導(dǎo)體模塊（１０）固定在冷卻構(gòu)件上； 至少一個配備給所述／每個基板（１２）的彈性的墊子（４２），所述墊子擠緊在蓋板（４８）和負載接頭元件（３８）的帶部段（３０）之間。
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| 專利號: |
200810090904 |
| 申請日: |
2008年4月1日 |
| 公開/公告日: |
2008年10月8日 |
| 授權(quán)公告日: |
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| 申請人/專利權(quán)人: |
塞米克朗電子有限及兩合公司 |
| 國家/省市: |
聯(lián)邦德國(DE) |
| 郵編: |
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| 發(fā)明/設(shè)計人: |
J·施特格、F·艾伯斯伯格 |
| 代理人: |
俞海舟 |
| 專利代理機構(gòu): |
中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所(11038) |
| 專利代理機構(gòu)地址: |
北京市阜成門外大街2號8層(100037) |
| 專利類型: |
發(fā)明 |
| 公開號: |
101281890 |
| 公告日: |
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| 授權(quán)日: |
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| 公告號: |
000000000 |
| 優(yōu)先權(quán): |
聯(lián)邦德國2007年4月4日102007016222.9 |
| 審批歷史: |
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| 附圖數(shù): |
1 |
| 頁數(shù): |
6 |
| 權(quán)利要求項數(shù): |
2 |
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